产品型号：688/718
SJT688A PNP型硅三极管
SJT688APPN PNP 型硅三极管采用平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于 200 微米的薄芯片等先进技术的使用使得 SJT688APPN 具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。
该产品主要应用于家用于汽车音响等音频功率放大器的功率输出级， 具有线性范围宽、失真度低的特点。
SJT688APPN 三极管目前可提供 TO-3P 封装外形。互补 NPN 管：SJT718ANPN。
较高的击穿电压余量。
非常低的漏电电流。
高输出功率：80W；
较高的二次击穿耐量和可靠性。
产品命名规则
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产品规格分类
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产 品 名 称 |
封装形式 |
打印名称 |
材料 |
包装 |
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SJT688APPN |
TO-3P |
688A |
无铅 |
料管 |
极限参数(除非特殊说明，Ta=25°C)
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参 数 |
符 号 |
参 数 范 围 |
单 位 |
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集电极、发射极击穿电压 |
BVCEO |
-120 |
IC=5mA，IB=0 |
V |
|
发射极、基极击穿电压 |
BVEBO |
-5 |
IE=1mA，IC=0 |
V |
|
集电极、基极击穿电压 |
BVCBO |
-120 |
IC=1mA，IE=0 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
-10 |
A |
|
|
基极电流 |
IB |
-1 |
A |
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工作结温 |
TJ |
-55~+150 |
°C |
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存储温度 |
Tstg |
-55~+150 |
°C |
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集电极耗散功率（Tc=25°C） |
PC |
80 |
W |
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电参数(除非特殊说明，Ta=25°C)
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参 数 |
符 号 |
测 试 条 件 |
最小值 |
典型 |
最大值 |
单位 |
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直流电流增益 |
HFE |
VCE=-5V，IC=-1A |
55 |
- |
160 |
- |
|
集电极、发射极饱和压降 |
VCE(sat) |
IC=-6A，IB=-0.6A |
- |
- |
-2 |
V |
|
基极、发射极电压 |
VBE |
VCE=-5V，IC=-5A |
- |
- |
-1.5 |
V |
|
集电极、基极漏电电流 |
ICBO |
VCB=-120V，IE=0 |
- |
- |
-10 |
μA |
|
集电极、发射极漏电电流 |
ICEO |
VCE=-120V，IB=0 |
- |
- |
100 |
μA |
|
发射极、基极漏电电流 |
IEBO |
VEB=-5V，IC=0 |
- |
- |
-10 |
μA |
|
三极管频率 |
FT |
VCE=-5V，IC=-1A |
- |
10 |
- |
MHZ |
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集电极输出电容 |
COb |
VCB =-10V，IE =0，f =1MHz |
- |
230 |
- |
pF |
典型特性曲线（续）
