产品型号：1837/4793
SJT1837PF PNP型硅三极管
描述
SJT1837PF PNP 型硅三极管采用平面三极管工艺技术制 造， 多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于 200 微米的薄芯片等先进技术的使用使得 SJT1837PF 具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。
该产品主要应用于家用电器、AV 器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级，具有线性范围宽、失真度低的特点。
SJT1837PF 三极管目前可提供 TO-220F-3L 封装外形。与 SJT1837PF 配对的互补 NPN 管：SJT4793NF。
较高的击穿电压余量。
非常低的漏电电流。
高输出功率：20W；
较高的二次击穿耐量和可靠性。
产品规格分类
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产 品 名 称 |
封装形式 |
打印名称 |
材料 |
包装 |
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SJT1837PF |
TO-220F-3L |
SJT1837PF |
无铅 |
料管 |
极限参数(除非特殊说明，Ta=25°C)
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参 数 |
符 号 |
参 数 范 围 |
单 位 |
|
|
集电极、发射极击穿电压 |
BVCEO |
-250 |
IC=1mA，IB=0 |
V |
|
发射极、基极击穿电压 |
BVEBO |
-5 |
IE=1mA，IC=0 |
V |
|
集电极、基极击穿电压 |
BVCBO |
-250 |
IC=100uA，IE=0 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
-1 |
A |
|
|
基极电流 |
IB |
-0.1 |
A |
|
|
工作结温 |
TJ |
150 |
°C |
|
|
存储温度范围 |
Tstg |
-55~+150 |
°C |
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|
集电极耗散功率（Tc=25°C） |
PC |
20 |
W |
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电参数(除非特殊说明，Ta=25°C)
|
参 数 |
符 号 |
测 试 条 件 |
最小值 |
典型 |
最大值 |
单位 |
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直流电流增益 |
hFE |
VCE=-5V，IC=-100mA |
100 |
- |
320 |
- |
|
集电极、发射极饱和压降 |
VCE(sat) |
IC=-500mA，IB=-50mA |
- |
|
-1 |
V |
|
基极、发射极电压 |
VBE |
VCE=-5V，IC=-500mA |
- |
- |
-1 |
V |
|
集电极、基极漏电电流 |
ICBO |
VCB=-250V，IE=0 |
- |
- |
-1 |
μA |
|
集电极、发射极漏电电流 |
ICEO |
VCE=-230V，IB=0 |
- |
- |
-20 |
μA |
|
发射极、基极漏电电流 |
IEBO |
VEB=-5V，IC=0 |
- |
- |
-1 |
μA |
|
三极管频率 |
FT |
VCE=10V，IC=100mA |
- |
100 |
- |
MHZ |
|
集电极输出电容 |
COB |
VCB =-10V，Ic =0，f =1MHz |
- |
25 |
- |
pF |
